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SI7452DP-T1-GE3 |
PowerPAK? SO-8 | Vishay Siliconix | 168 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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SI7452DP-T1-GE3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH D-S 60V PPAK 8SOIC 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：60V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：11.5A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.3 毫欧 @ 19.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：160nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：- 功率 - 最大值：1.9W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： Card EdgeFMC13DREN-S734 LED - 电路板592-2631-302F Card EdgeGCM36DRKH 固定式PM2110-271K-RC 选择器0033.4014 PMIC - MOMIC4452CT 矩形 - 自由悬挂0014445212 PMIC - 稳压RT9183-33GL 光纤1063871531 薄膜电容器947C731K801CDM |
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